Persistent Lines of Singly Ionized Silicon ( Si II )

Intensity     Wavelength (Å)     Aki (108s-1)     Energy Levels (cm -1 )     Configurations     Terms     J     Line Ref.     Aki Ref.                                         300  1190.4160 6.86      0.00 3s2(1S)3p 2P° 1/2 KE74 M03        84004.26 3s3p2 2P 3/2                         700  1193.2898 27.3      0.00 3s2(1S)3p 2P° 1/2 KE74 M03        83801.95 3s3p2 2P 1/2                         800  1194.5004 34.0    287.24 3s2(1S)3p 2P° 3/2 KE74 M03        84004.26 3s3p2 2P 3/2                         500  1260.4223 24.7      0.00 3s2(1S)3p 2P° 1/2 KE74 M03        79338.50 3s2(1S)3d 2D 3/2                        1000  1264.7379 29.3    287.24 3s2(1S)3p 2P° 3/2 KE74 M03        79355.02 3s2(1S)3d 2D 5/2                         300  1533.4318 7.50    287.24 3s2(1S)3p 2P° 3/2 KE74 M03        65500.47 3s2(1S)4s 2S 1/2                         100  3856.017    55325.18 3s3p2 2D 5/2 S61b          81251.32 3s2(1S)4p 2P° 3/2                          50  4128.067    79338.50 3s2(1S)3d 2D 3/2 S61b         103556.16 3s2(1S)4f 2F° 5/2                          70  4130.893    79355.02 3s2(1S)3d 2D 5/2 S61b         103556.03 3s2(1S)4f 2F° 7/2                         130  5041.026 0.98  81191.34 3s2(1S)4p 2P° 1/2 S61b FW96       101023.05 3s2(1S)4d 2D 3/2                         130  5055.981 1.26  81251.32 3s2(1S)4p 2P° 3/2 S61b BBC95       101024.35 3s2(1S)4d 2D 5/2                         130  5669.562 0.50 114529.14 3s3p(3P°)3d 4F° 9/2 S61b BBC95       132162.29 3s3p(3P°)4p 4D 7/2                         130  6347.103 0.66  65500.47 3s2(1S)4s 2S 1/2 S61b BBC95        81251.32 3s2(1S)4p 2P° 3/2                         100  6371.359 0.77  65500.47 3s2(1S)4s 2S 1/2 S61b BBC95        81191.34 3s2(1S)4p 2P° 1/2